Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами
Авторы:
Аннотация:
В статье рассмотрено влияние плотности каскадов столкновений на изменение свойств поверхности GaN при его бомбардировке ускоренными атомарными и молекулярными ионами. Показано, что при малых плотностях свеллинг преобладает над распылением, а при больших - наоборот, доминирует распыление. Шероховатость поверхности увеличивается при увеличении массы иона/размера кластера. Установлен пороговый характер развития этих процессов и определены пороговые дозы начала развития особенностей топографии поверхности и изменения толщины модифицируемых слоев. Предложено физическое объяснение наблюдаемых закономерностей.